Samsung начала производство чипов памяти 512 ГБ. Мы ожидаем, что Galaxy S9?

Samsung запустила массовое производство высокоскоростной флэш-памяти eUFS для следующего поколения мобильных устройств. Новые чипы имеют рекордной емкостью 512 гб и показывает скорость передачи данных.

Samsung запустила массовое производство высокоскоростной флэш-памяти eUFS для следующего поколения мобильных устройств. Новые чипы имеют рекордной емкостью 512 гб и показывает скорость передачи данных. Характеристики

В программы 64 технологии слоев по вертикали презентации V-NAND. Samsung удалось удвоить плотность хранения информации по сравнению с решениями на 256 ГБ. Даже после установки операционной системы до 512 гб жесткий диск, который может вместить около 130 роликов в 4K-разрешением и продолжительностью около 10 минут каждый. Это примерно в 10 раз больше, чем на смартфоне с 64 ГБ памяти.

Скорость чтения в eUFS-чипов достигает 860 МБ/с и последовательной записи — 255 МБ/с-В результате фильм в 5 ГБ можно будет передать всего за 6 секунд, 8 раз быстрее, по сравнению с картой памяти microSD. Максимальное число операций при чтении/записи случайных блоков 42000 / 40000 IOPS.

В компании ничего не говорят о сроках релиза первых устройств с микросхемами памяти 512 гб. Может быть, первый будет флагманом Samsung Galaxy S9 или следующая модель серии Note, который выйдет во второй половине 2018 года. До сих пор, смартфоны корейского гиганта не имеют рекорды емкости накопителя — в коллекции Galaxy S8 были только варианты на 64 и 128 гб, Galaxy Note 8 до 256 ГБ официально продаваться только в некоторых странах.

Источник: Samsung Для тех, кто хочет знать больше: Samsung собирается выпустить док-станция DeX Pad для Galaxy S9 Samsung Galaxy S9 экран будет еще тоньше Samsung представила новый пользовательский интерфейс для смартфонов на основе ИИ Дата объявления и свежие подробности о Samsung Galaxy S9 и S9+

Категория: Новости Техники